*美光財報季度、年度表達方式為:FYQ1:10 – 12月、FYQ2:1 – 3月、FYQ3:4 – 6月、FYQ4:7 – 9月,內文省略FY
美光營運動能強勁,製程技術領導者優勢不變,建議逢低買進
半導體產業蓬勃發展,美光受惠終端應用需求強勁, 21Q3財報表現優於預期,DRAM/NAND各營收項目皆迎來雙位數成長,創下公司史上季增幅度最大之紀錄,惟近期NB市場需求出現雜音,市場擔憂DRAM下行週期將至,美光股價重挫13%,跌至今年以來低點。
預期股價調整屬於DRAM類股正常週期性現象,伺服器與車用領域快速成長抵銷PC需求放緩,終端需求強勁帶動2022年DRAM持續供不應求,美光DRAM製程技術領導者地位不變,看好先進產品持續放量,主力節點產品1α DRAM 與 176 層 NAND 步入效益區間、DDR4轉移至DDR5推升ASP,後續製程上導入EUV技術貢獻成本撙節效果並強化產業領先地位。
預估美光2021年營收276.27億美元(+28.8% YoY), EPS為5.90美元;2022年營收333.54億美元(+12.1% YoY), EPS為7.95美元;以預估2022年之EPS,本益比15倍,目標價119元,建議逢低買進。
Micron美光,唯㇐非韓系記憶體Top 3 業者,美國唯一具有壟斷性質的DRAM公司
MicronTechnology,Inc.美光科技成立於1978年,為全球第四大半導體業者,供應商網絡遍及30多個國家,在全球DRAM市佔率排名第三(僅次於三星和SK Hynix),相比於同業競爭者而言,美光深具政策優勢與地緣優勢,美國政府兩大政策主軸為聯盟抗中及鞏固美國在IC產業上的國際地位,身為美國唯一具國際競爭力的DRAM公司,美光在其中的重要性不言而喻,同時美光也是台灣最大的外商雇主及外商投資者,受惠於與台灣半導體產業緊密的合作關係,在全球晶圓短缺的時代更顯地緣優勢,鞏固了美光在DRAM產業中的壟斷性地位。
美光主要製造及銷售DRAM、NAND flash與NOR flash記憶體產品,DRAM 與 NAND Flash 約各占公司營收 70%、28%,公司營運版圖橫跨17國,其中先進 DRAM 產品主要在台灣廠生產,而最新的 3D NAND Flash 則由新加坡廠負責,公司業務可分為四個部門,分別為 :
運算與網路業務(Compute and Networking, CNBU,約占營收的43%)
- 提供記憶體產品以及解決方案予雲端伺服器、企業主、圖像製作、聯網客戶等需求端,產品主要以 1X nm (16-19nm)以及 1Y nm (14-16nm)製程為主的 DRAM 系列,包括 8Gb GDDR6、DDR3、DDR4 等產品。
- 2020年部門營收91.84億美元,營業利益率21.9%。
行動業務( Mobile, MBU,約占營收的27%)
- 提供記憶體相關產品予智慧型手機/行動裝置用戶,主要產品包括LPDDR5/LPDDR4x (Memory)、UFS3.1/UFS2.x/eMMC(Storage Solution)、uMCP5/uMCP4x/eMCP4x (Multichip Packages) 。
- 2020年部門營收57.02億美元,營業利益率18.8%。
儲存業務( Storage, SBU,約占營收的18% )
- 提供分離式存儲相關商品予企業、雲端客戶,另有晶圓銷售予可移動存儲市場,業務項目包括與Intel的長期供貨協議,主要產品為3D XPoint 內存和 NAND。
- 2020年部門營收37.65億美元,營業利益率1.1%。
嵌入式業務( Embedded, EBU,約占營收的13% )
- 主要包括銷予汽車、工與消費市場之記憶體存儲產品,包括分離式 DRAM 和 NAND、管理 NAND 和 NOR,營運規模較小。
- 2020年部門營收27.59億美元,營業利益率10.9%。
三星、SK Hynix和美光控制著約95%的DRAM市場
DRAM與NAND Flash 約各占公司營收70%、28%
美光掌握業界最先進DRAM技術,製程領先同業龍頭三星一個世代
美光提供數據儲存與檢索用 DRAM,包括高速與高頻寬 DDR4/DDR3/DDR2、低延遲 DRAM,及其他利基型 DRAM 產品,如 DDR2 DRAM、DDR DRAM、GDDR5 DRAM、SDRAM、低延遲動態隨機存取記憶體、虛擬靜態隨機存取記憶體產品;產品應用於網路裝置、伺服器、消費性電子、通訊設備、電腦週邊、汽車與工業,及電腦記憶體升級。
美光於20Q3推出全世界速度最快的獨立繪圖記憶體解決方案GDDR6X,為首個在顯存上使用了PAM4編碼的解決方案,提升了信號傳輸的效率,能夠以更低的時鐘頻率達成同樣的等效頻率,提供高達每秒 1TB 頻寬速度,搭載於 NVIDIA 最新推出的 GeForce RTX 3090 和 GeForce RTX 3080 繪圖處理器,提升了次世代遊戲應用在處理複雜圖像時的效能,出貨量季成長於20Q4達到20% 以上,惟目前處在相對早期階段,僅佔公司營收個位數百分比,預期隨著新一代遊戲機與 PC 繪圖產品發表帶動下,GDDR6X營收貢獻將持續增加。
GDDR6X實現曾被視為不可能的每秒 1TB 頻寬速度
2021年初,美光宣布基於新型1α製程生產的DRAM開始批量出貨,為目前全球最先進的DRAM制造技術,據悉1α製程最初會用於8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4內存生產上,隨後美光會將旗下採用1z DRAM製程的生產線逐步升級替換為1α,生產線全面升級預計將在2022-2023年完成,而同業龍頭三星目前依然處在1z的製程上進行生產。
美光的1α DRAM製程相比於此前所採用的1z DRAM製程,在最終產品上每單位晶圓位元產出量(bits per wafer)可多40%,有利於在單位面積內容納更多的有效內容,大幅降低生產成本,預期美光將利用成本優勢達到比同業更高的利潤。
1α 鞏固市場領先地位,美光亦積極投入更高階製程的研發
終端應用成長動能強勁,供給擴張漸趨平穩,樂觀看待記憶體產業未來發展
近期NB與消費性電子需求放緩,21Q4起PC出貨量已有下降,降低了對PC DRAM的需求,而PC DRAM需求下降又導致DRAM現貨價格下跌,並與合約價產生死亡交叉,需求端出現雜音,市場開始擔憂DRAM的下行風險。
雖然DRAM需求出現雜音,但我們認為短期PC出貨量下降係與疫情趨緩解封,PC需求正常化所致。展望後續,隨著各國就業率上升、員工回辦公室正常上班,未來PC 成長動能將由消費者轉為商用,伴隨PC存儲芯片容量逐年增加,預期整體PC DRAM需求將在22H1年下滑後快速回升,加上 PC DRAM的需求僅佔總需求的15%,因此PC DRAM的增長放緩並不足以停止DRAM的上行周期。
需求下滑的PC DRAM僅佔DRAM市場的15%
伺服器需求方面,隨著雲端服務、AI、IoT等大數據應用興起,資料處理量不斷攀升,衍生出資料中心伺服器數量持續增長,同時因為現今CPU運算速度要求越來越快,企業及雲端伺服器為推升效能,致使核心數與單機DRAM 容量不斷上升,伺服器中的DRAM用量也持續成長。根據DRAMeXchange估計,2021年伺服器容量將可從2019年的145GB成長至366GB, 預期將成為未來數季DRAM市場成長的主要動能。
超大型資料中心數逐年上升,帶動伺服器DRAM需求成長
近年全球智慧型手機整體出貨成長衰退,2020年更因為受到疫情衝擊影響導致出貨量下降11.9%,然而行動裝置需求隨著5G應用滲透率上升及單機搭載核心數提升,2020年整體行動裝置DRAM成長則為22%,預期未來行動裝置DRAM 需求從「出貨量 + 單機容量」的雙引擎,轉變成容量提升的單引擎,預期未來數季仍將是DRAM最主要的需求,惟成長率逐漸放緩。
利基型DRAM因為中美兩大車市皆呈現復甦,且未來汽車將因更龐大的資訊處理需求及ADAS發展,車用記憶體需求將高速增長,以目前自駕程度最高的特斯拉(Tesla)為例,從Tesla Model S/X起,由於同時採用NVIDIA的車用CPU及GPU解決方案,DRAM規格導入當時頻寬最高的GDDR5,全車系搭載8GB DRAM,而Model 3更進一步導入14GB,下一代車款更將直上20GB,其平均用量遠勝目前PC及智慧型手機,預期未來車用需求將是終端應用需求中成長最快速的領域。根據TrendForce預估未來三年車載DRAM用量將以年均複合增長率(CAGR)超過3成的漲勢向上。其他應用方面,遊戲機產業隨著次世代主機推出,顯示卡需求提升增加GDDR需求,未來隨著晶片短缺情況減緩也將推升次世代主機出貨放量。預期利基型DRAM將是未來數季DRAM需求成長最快的領域,於總需求中的占比也將逐年增加。
若從 DRAM 供給端來看, 目前整個產業供給成長處於減緩的趨勢,現今 DRAM 位元供給的增長來源以工藝進步帶來的密度提升為主,以產能擴張帶來的投片量增加為輔,但是近年來 DRAM 在進入 20 奈米製程後,製程提升開始遇到瓶頸,主流廠商出於成本與研發難度考量,對 1Xnm 及以下製程的開發應用較為謹慎,製程推進減緩和儲存密度成長下滑直接導致 DRAM 位元供給成長下降,且近年DRAM競爭趨變為寡佔市場,由三星、海力士(SK Hynix)及美國的美光(Micron)瓜分DRAM逾九成市場,因此殺價競爭的情況減弱許多。
供給端的部分,研調機構TrendForce指出,2021年DRAM三巨頭陸續加速產能或製程轉進的規劃,以因應終端逐步上修的需求,資本支出大約年增10%,不過部分用於購買先進製程設備如EUV(極紫外光曝光機)以追趕技術,市場新增產能並不多,即便透過產品線調整,能夠增加的額外產能也有限,整體供給狀況依然吃緊。DDR5世代交替也是造成DRAM市場供給吃緊的另一關鍵原因,由於DDR5透過內建錯誤校正編碼(ECC)核心,以滿足資料中心等高效能運算的高效能及高頻寬需求,工序相比於DDR4明顯增加,良率在轉換初期也是生產隱憂,隨著DDR5在21H2開始進入量產,DRAM產業的位元供給成長將持續受限。
從近期DRAM市況來看,DRAM Mobile端雖因東南亞疫情使當地手機通路商下調今年生產預期,不過預期受衝擊的主要為中低階手機,搭載高容量DRAM的中高階手機將迎來傳統旺季,TrendForce預估21Q4 Mobile DRAM價格漲幅可望來到10%。雲端應用與企業端伺服器需求則持續受惠於Intel新平台Ice Lake的轉換與滲透率提升,21Q4仍然處於伺服器拉貨旺季,預估Server Dram價格漲幅為5-10%。歐美疫苗施打率提高後PC端的出貨動能已有走弱跡象,TrendForce預期儘管21Q4仍有旺季需求與商用市場換機需求,但筆電於ODMs端的生產計劃將會逐季修正,削弱PC DRAM的總需求量,預估PC DRAM價格漲幅將收斂至3-5%。至於車用與工業市場應用則隨著中美兩大車市持續復甦,預期將維持21Q3快速成長態勢,惟於總需求佔比小對DRAM價格影響甚微。綜上所述,預估21Q4整體DRAM價格漲幅將在5-10%之間。
在NAND的部分,SSD是NAND最主要的應用,主要可分為消費型和企業型SSD,近年SSD 也全面搶進Data Center及企業級儲存市場,包括美光在內的NAND 大廠皆積極布局,⾧期由 5G 應用帶動規格升級的趨勢不變。針對 Read Intensive Storage Applications (讀取密集儲存應用)的 Data Center 需求,主流應用QLC SSD 則正發揮超大容量的優勢、切入企業級市場,美光強調 Data Center 將是公司NAND業務成⾧的主要動能,尤其 2020 年疫情更加速了以雲端為主的成⾧趨勢。
從近期NAND市況來看,消費型SSD的部分,21Q4 PC端需求持穩,預計漲幅3-8%,企業型的SSD部分,受惠Intel和AMD新平台Whitley、Milan可望進一步放量、資料中心加強Server採購力道,需求依然強勁,加上控制IC供給缺口仍存,預估21Q4的企業級SSD總採購容量將提升7%,價格將上漲15%。TrendForce亦認為21Q4 NAND Flash整體合約價將小幅上漲,季增5~10%。
總結來說,5G、伺服器、電動汽車等領域快速成長且皆對記憶體有強勁需求,市場供給隨著製程推進減緩和儲存密度成長下滑放緩,以長期趨勢來看,我們看好記憶體產值在歷經波動後仍保持上揚趨勢。WSTS (世界半導體貿易統計協會)預估2021 年全球半導體市場將成⾧將近2成、達到5027億美元,其中成⾧貢獻最多的為記憶體,年增超過3成,預期 2022 年將再增⾧ 9 %、達5730億美元。展望DRAM/NAND後市發展,我們預期需求隨著終端應用增加持續成長,供給則因為製程研發難度增加、產業進入寡佔市場而持穩,整體增長仍將跑贏半導體,達到10-15%的年增長。
21Q3財報優於預期,記憶體受惠全球半導體市場成長,終端應用需求大增,EPS 1.88美元
受惠半導體市場蓬勃發展,資料中心、5G行動通訊、AI、雲端、車用、IoT等終端應用對存儲與運算的需求大增,記憶體市場終端應用需求強勁,美光21Q3營收74.22億美元(+19%QoQ/+36.5%YoY),其中DRAM占比73%、NAND占比24%,毛利率43%,營益率32%,稅後淨利增近㇐倍達21.73億美元(+92.6%QoQ/+130.9%YoY),單季EPS為1.88美元(以上皆為non-GAAP),創史上季增幅度最大之紀錄。
21Q3單季EPS創公司史上季增幅度最大紀錄
美光NAND(行動MCP/消費端與客戶端 SSD)營收創高,車用與工業市場營收創高帶動 EBU 業務營收首度超越10億美元,176 層 NAND 於 21Q1開始出貨,1α DRAM 於 21Q2 量產,兩者在 21Q3貢獻相當的位元出貨量,預期後續將持續扮演主力節點產品。
EBU營收首度超越$1B,其中車用與工業市場營收皆創高
展望21Q4 ,整體供給持續吃緊,合約價維持高檔
美光合約價格隨技術優勢而維持高檔,新一代記憶體DDR5開始出貨,先進製程1α DRAM、176層NAND快閃記憶體產品出貨成長維持21Q3水準,看好產品上的技術優勢成為營收的成長動能,同時公司存貨水位依然處於歷史低點,存貨週轉天數於21Q4維持低檔,營運效率良好。
預估21Q4,DRAM成長率因NB需求下滑及基期墊高而收斂,NAND則因市況較佳及先進產品搶占更多市場份額而大幅成長,DRAM營收58.56億元(+8%QoQ/+34%YoY),占總營收71%;NAND營收21.14億元(+19%QoQ/+40%YoY) ,占總營收26%;合計營收82億美元(+10.8% QoQ/+35.3% YoY),毛利率46%,營益率35%,稅後淨利26.11億美元(+20.1% QoQ/+112.1% YoY),單季EPS為2.27美元(以上皆為non-GAAP)
預估美光2021全年營收276.27億美元(+28.8% YoY),毛利率39%,營益率27%,稅後淨利67.87億美元(+108.3% YoY),EPS為5.90美元(以上皆為non-GAAP)。
美光營運動能強勁,先進技術優勢強化產業領先地位,建議逢低買進
展望2022年,美光先進產品將持續放量,主力節點產品1α DRAM 與 176 層 NAND 將步入成本效益區間,貢獻相當的成本撙節效應,DDR4轉移至DDR5幅度增加推升DRAM 產品ASP,雲端與車用領域的快速成長將有效抵銷PC勿需求的放緩,DRAM市場需求伴隨終端市場成長續強,後續製程上導入EUV技術,有助提高產品成本效應並強化產業領先地位;預估美光2022年營收333.54億美元(+20.73% YoY),毛利率40%,營益率29%,稅後淨利88.44億美元(+27.56% YoY),EPS為7.95美元(以上皆為non-GAAP)。考量2022年DRAM需求續強及美光技術領先優勢,以預估2022年之EPS 7.95美元,採本益比15倍,目標價119元,建議逢低買進。