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放大鏡短評
美光(MU)第九代NAND快閃記憶體的推出標誌著存儲技術的一個重大進步。其極高的傳輸速度和密度顯示出美光在技術創新和生產工藝方面的卓越能力，對於需要高效存儲解決方案的AI應用和數據中心等領域尤其重要。美光的這一進步不僅提升了其在市場上的競爭力，還為行業樹立了新的技術標杆。隨著AI模型訓練和其他數據密集性應用的需求不斷增長，美光有望通過這一技術優勢獲得更多市場份額，並推動存儲行業的持續發展。
新聞資訊
技術突破與應用
美光科技(MU)開始出貨第九代（G9）TLC NAND快閃記憶體，成為業界首家達成此里程碑的公司。G9 NAND具備業界最高的3.6 GB/秒傳輸速度，為數據讀寫提供了無與倫比的帶寬，適用於人工智慧（AI）和其他數據密集型應用，包括個人設備、邊緣伺服器、企業和雲端數據中心。
性能與密度優勢
美光G9 NAND的密度比競爭技術高出73%，提供更緊湊和高效的存儲解決方案，受益於此的不僅是消費者，還有企業。其寫入帶寬提升99%，讀取帶寬提升88%，在SSD和嵌入式NAND解決方案中實現性能和能效的雙重提升。
產品設計與應用
G9 NAND尺寸僅為11.5mm x 13.5mm，比競品少28%空間，成為目前最小的高密度NAND。這樣的高密度和小尺寸最大化了設計選擇，適用於各種應用場合。G9 NAND將作為存儲創新的基石，為所有終端市場的客戶提供價值。
Micron 2650 NVMe SSD的卓越表現
集成G9 TLC NAND的Micron 2650 NVMe SSD在PCMark® 10測試中表現出色，比競爭產品高出38%。該SSD達到PCIe Gen4理論飽和水平，提供高達7000 MB/秒的順序讀取速度，在順序寫入、隨機讀取和隨機寫入方面均領先競爭對手。
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