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荷蘭宣布擴大晶片製造設備出口管制,正式把EUV列入管制
荷蘭政府上週五(6/30)宣布晶片製造設備出口的新管制規定,要求設備業者如ASML (ASML) 及ASM (ASM International)出口先進晶片製造設備前需申請許可。新規定將於 9 月 1 日生效。荷蘭外貿部長施萊納馬赫(Liesje Schreinemacher)表示,此類設備出口可能涉及軍事用途,新管制規定是為了國家安全,只有「非常有限」的公司和產品型號受到影響。
新出口管制規定首個列管對象為光源波長低於 193nm的光刻設備,也就是極紫外光(EUV)光刻機及相關的技術、材料及設備。不過,早在2019年,荷蘭政府已沒有再向出口到中國的EUV發放新的出口許可證,中芯國際在2018年訂購的EUV也無法交付。因此這次正式把 EUV 列入管制範圍並沒有掀起多大的波瀾。
新出口管制規定主要鎖定可透過多重曝光實現7 nm 製程的浸潤式 DUV
荷蘭政府這次公布的新出口管制規定,關注重點落在光源波長大於或等於193nm浸潤式深紫外光(DUV) 光刻機的管制範圍。根據荷蘭政府公報上的技術文件顯示,只有同時符合以下兩項條件的設備,才需要申請出口許可:
- 最小可分辨特徵尺寸(MRF)為 45 nm 或更小
- 最大專用卡盤覆蓋 (DCO) 值小於或等於 1.50 nm
浸潤式DUV可透過「自對準多重曝光(Self-Aligned Multiple Patterning, SAMP)」技術,製造出7nm的晶片,但多重曝光耗電量較單次曝光大,對設備損耗也較高,推高晶片製造成本,且重複曝光需要進行對準,誤差機率增加也使良率下降,基本上不符合成本效益,一般晶圓代工廠很難以此大幅增加獲利。
新出口管制範圍合乎先前預期, ASML重申2023 年財測及長期展望
根據ASML公布的數據顯示,其NXT:1980系列的最小可分辨特徵尺寸(MRF) 約為38nm(低於新規定的45nm),但其DCO值為「小於或等於1.60nm」,高於新規定的「小於或等於1.50nm」,理論上NXT:1980系列不在荷蘭政府要求申請許可的範圍以內。因此ASML的NXT:1980系列可望不受新規定的影響,合乎CMoney研究團隊先前對「最先進浸潤式微影設備」的預期,僅有TWINSCAN NXT:2000i及後續推出的設備(NXT:2050i 及 NXT:2100i) 及其升級服務,將會受到新規定影響。
ASML表示將繼續遵守相關的出口管制規定,包括荷蘭、歐盟和美國的出口管制法規。新規定將於9 月1 日生效,在此日期之前,ASML將開始提交出口許可證申請。而荷蘭政府將根據具體情況批准或拒絕這些申請。ASML重申,新管制規定不會對已公布的2023年營運展望,以及於2022年11月投資者日宣布的長期展望產生重大影響。
荷蘭新出口管制範圍納入單原子層沉積(ALD)技術,ASM 表示不會對營運造成重大影響
另外,荷蘭政府的新規定還包括單原子層沉積(ALD)技術及相關設備。單原子層沉積技術,就是運用化學方式將薄膜材料,一層一層均勻地分佈在關鍵零組件表面的製程技術。因為薄膜沉積工藝的精進,也讓ALD設備在半導體製造晶片的過程,成為不可缺少的重要角色。在全球薄膜沉積設備市場中,美國應用材料(AMAT)和泛林集團(LRCX)以及日本東京電子(Tokyo Electron)佔據主要地位。
然而,荷蘭ASM (ASM International) 也在薄膜沉積設備市場上佔有一定的市場份額。在ALD設備領域,ASM大約佔據全球55% 的市場份額,是全球最大且市場佔有率最高的ALD設備供應商。ALD業務也是ASM最主要的設備收入來源,佔總收入的一半以上。針對荷蘭政府的新出口管制規定,ASM預估不會對其財測有重大影響。
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