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* 美光財報季度表達方式為：2023 財年第 4 季為 2023 年 6 月第一個禮拜五到 2023 年 9 月第一個禮拜四，2024 財年第 1 季為 2023 年 9 月第一個禮拜五到 2023 年 12 月第一個禮拜四，以此類推。

*全篇財報按非美國通用會計準則(non-GAAP)計算，由於non-GAAP剔除了一次性、非常規等項目，更能反映企業的真實經營情況。

美光為全球第三大 DRAM 業者，橫跨多種終端應用

美光 (MU) 科技成立於 1978 年，為全球第三大 DRAM 業者，2023 年第 2 季市占率 26%，僅次於三星 ( 40% ) 及 SK 海力士 ( 30% )，3 家市占率合計超過 95%；NAND Flash 則以全球 13% 市占率位居第 5 。

美光營運版圖橫跨 17 國，主要製造及銷售 DRAM、NAND Flash、NOR Flash 與 3D XPoint 等產品，但營收都來自 DRAM ( 69% ) 與 NAND Flash ( 30% )，合計佔比達 99%；終端應用橫跨手機、PC、伺服器，也包括汽車、工業或消費性市場等。

美光 2023 財年第 4 季虧損持續收斂

美光 2023 財年第 4 季財報已將中國市場影響納入預估中，數據如下：

營收 40.1 億美元 ( 季增 6.9% / 年減 40% )
- 落在公司財測 37 ~ 41 億美元區間
- 略高於市場預期的 39.3 億美元
- DRAM 營收 27.5 億美元 ( 季增 3.1% / 年減 43% )
  - 平均銷售價格 ( ASP ) 季減約 9%
  - 位元出貨量季增約 14%
- NAND Flash 營收 12.1 億美元 ( 季增 19% / 年減 29% )
  - 平均銷售價格 ( ASP ) 季減約 15%，跌幅不再擴大
  - 位元出貨量季增幅度來到 40%
毛利率 -9.1% ( 季增 6.9 個百分點 / 年減 49.1 個百分點 )
- 落於公司財測 -13% ~ -8% 區間
- 由於記憶體價格止穩，認列庫存回升利益約 5.6 億美元
每股損失 1.07 美元 ( 上一季每股損失 1.43 美元 / 去年同期 EPS 1.45 美元 )
- 高於公司財測上緣的每股損失 1.12 美元
- 優於市場預期每股損失 -1.18 美元

美光 2023 財年財報如下：

營收 155 億美元 ( 年減 49% )
毛利率 -7.7% ( 年減 53.7 個百分點 )
- 全年庫存跌價損失 9.9 億美元
每股損失 4.45 美元 ( 去年每股獲利 8.35 美元 )

2023 財年第 4 季財報給出的重要資訊包括：

受惠 Apple 新機出貨及 AI 伺服器使用的 DDR5 與高階 HBM，營收連續三季回暖，每股虧損持續收斂
庫存大致恢復正常，惟傳統伺服器庫存調整須等到 2024 年第 1 季
位元出貨量表現亮眼，報價進入打底階段

美光 2024 財年第 1 季財測低於市場預期，盤後一度下跌逾 5%

美光 2024 財年第 1 季財測已將中國市場影響納入預估中，結果如下：

營收 42 ~ 46億美元
- 季增約 9.7% ( 以預估區間中點 44 億美元計算 )
毛利率 -6% ~ -2%
- 季增約 5.1 個百分點 ( 以預估區間中點 -4% 計算 )
每股損失 1 ~ 1.14 美元
- 由於營業費用從前一季 8.4 億美元預估提高至 9 億美元，使虧損沒有明顯地收斂
- 獲利預估低於市場預期的每股損失 0.92 美元，顯示復甦之路更為漫長，導致盤後一度下跌超過 5%
投資方面，預期 2024 財年資本支出將小幅高於 2023 財年的 70 億美元，封測投資加倍、加大對 HBM 的投資，但前段晶圓設備投資略減 ( 含導入 EUV 及升級先進製程 )。

在 DRAM 三大原廠 ( 三星、SK海力士、美光 ) 減產之下，預計庫存調整將在 2023 年第 4 季至 2024 年第 1 季陸續降至健康水準，因此原廠在 2023 年下半年的漲價態度可能較第 2 季強硬，讓價意願降低，故合約價已陸續落底，庫存跌價損失將獲得改善，營益率轉虧為盈的機會大。

需求部分，低價 DRAM 顆粒買氣回籠，近期現貨價市場開始調漲，不過調漲動能來自先前過度跌深的低價料源，終端需求尚未跟上，全面性上漲仍需原廠的價格表態。儘管如此，採購熱度持續增溫，下半年記憶體產業有機會轉趨健康，推動 DRAM 價格走出谷底。

根據 Trendforce 預估，2024 年 DRAM 位元需求將年增 13% ，供給方面在嚴格控制產出下預估年增 11.1%。DRAM 供需狀況預估在 2023 年第 4 季回到平衡，2024 年第 1 季供不應求。

美光預估 2024 年第 1 季將推出 HBM3e 樣品，下半年進入量產

在【產業動態】AI 伺服器帶動記憶體產業 HBM 的需求竄升，預估 2024 年 HBM3 將成為主流！一文中有提到 AI 伺服器大爆發，而伺服器的 AI 加速晶片激起高頻寬記憶體 ( High Bandwidth Memory，HBM ) 需求大幅提升。美光高層預估 2022 ~ 2025 年整體 HBM 市場規模年複合成長率 ( CAGR ) 可望超過 50%，2025 年產值可望佔整體 DRAM 12% 以上。

此外，HBM 持續進化，需求已逐漸從 HBM2e 轉往 HBM3，前者需求佔比預估從 2022 年 70% 下滑至 2024 年的 25%；後者則預估從 2022 年 8% 大幅提升至 2024 年 60%，成為 2024 年市場主流，且將受惠更高的平均銷售單價 ( ASP )。

技術方面，美光跳過 HBM3 ( 傳輸速度 5.6～6.4Gbps )，2023 年專注開發 HBM3e ( 傳輸速度 8Gbps ) 產品 HBM3 Gen 2，使用 1β 製程 ( 較上一代 1ɑ 製程功耗降低 15%、位元密度提升逾 35% )，採用 8 層堆疊，單顆 HBM3e 容量提升至 24 Gb ( SK 海力士及三星的上一代 HBM3 使用 1Z 製程，容量為 16 Gb )，預估在 2024 年第 1 季末推出樣品，並在下半年進入量產。

不過 HBM 市占率大部分都被兩大韓廠所掌握，預估美光 2024 年市占率僅個位數，且營收占比仍低，故短期對美光的評價提升及營收挹注有限，未來 1 年內美光的上漲動能主要仍來自整體記憶體產業的回暖，包括資料中心 ( 預估 DDR5 滲透率將在 2024 上半年超越 DDR4 )、PC ( AI PC 推出 )、手機 ( 產品組合轉佳、規格升級 )、車用 ( ADAS 與車艙內半導體含量增加 ) 及工控等 2024 年都將優於 2023 年表現。

美光 65 美元經歷多次考驗，成為重要支撐及良好布局位置，目標價維持 80 美元

1. 操作建議

上一次【美股技術分析】美光獲利觸底回升，65 美元大頸線有撐，投資機會來敲門？報告中提到 65 美元為買進參考點，雖然經歷過兩次跌破頸線的考驗，但都守在 60 美元停損點之上，因此持股續抱。

就目前來看，美光從 2023 年初開始，各波段低點連接後形成明顯的上升趨勢線，且大頸線 65 美元在經過考驗之下成為非常重要的支撐位置，搭配上升趨勢線即將向上穿越頸線，更加強其支撐力度，因此 65~70 美元是不錯的佈局區間。

2. 停損及目標價規劃

如上所述，美光 65 美元是非常重要的支撐位置，若股價跌破 65 美元後一週內未站穩則應減碼，若跌破前低 61.5 美元則應停損；目標價則維持 80 美元不變。

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