美光受惠記憶體報價上揚,HBM需求暢旺,帶動2024財年第3季獲利持續上攻。不過美光財測差強人意,加上股價位階偏高,短期創新高難度高,需靜待拉回再擇機佈局。
DRAM
美光將在6/26美股盤後公布2024財年第3季財報,將聚焦DRAM成長及HBM的挹注上,預期美光將受惠產業成長使財報持續漸入佳境。
美光科技計劃在廣島新建DRAM工廠,旨在擴大市場份額並滿足AI需求。
由於HBM需求增加及先進製程的優先佈局,DRAM供應可能面臨短缺。
台灣地震對美光科技(MU)當季DRAM供應造成影響,但長期供應能力未受影響。
隨著AI的興起,記憶體技術特別是高頻寬記憶體(HBM)和動態隨機存取記憶體(DRAM)需求急劇增長。三星、SK海力士和美光科技作為市場領先者,正競相開發先進的HBM技術以支援AI和高性能計算應用。隨著技術進步和市場需求的增加,HBM被預期將帶來長期的成長動能,這三家公司各展所長,共同推動記憶體產業的進步。
美光FY24Q2獲利由虧轉盈,且大幅優於市場預期,帶動股價盤後飆逾 18%。預期在 AI 引領 HBM 需求成長,加上整體記憶體產業環境改善下,公司獲利將持續增長,展現出誘人的投資吸引力。
TrendForce報告顯示,DRAM行業投資HBM記憶體,預計2024年產能增長260%,收入份額增至20.1%。
花旗分析師將美光科技目標價提高至150美元,預測2024財年第二季度報告將優於預期。
記憶體大廠美光科技(MU)計劃自2025年起在日本廣島縣的工廠生產先進的「1γ(Gamma)」及HBM記憶體。