美光FY24Q4獲利大增，加上FY25Q1營收財測優於預期，促使其盤後股價狂飆14%。儘管先前因評價過高而大幅修正，但在AI需求持續暢旺之下，股價有望絕地反攻。
HBM
美光受惠記憶體報價上揚，HBM需求暢旺，帶動2024財年第3季獲利持續上攻。不過美光財測差強人意，加上股價位階偏高，短期創新高難度高，需靜待拉回再擇機佈局。
生成式AI需求推動高頻寬記憶體(HBM)供不應求，帶動DRAM價格三個月來首度上漲8%。美光擴大HBM產能，全球半導體市場預測2024年將創新高。
美光將在6/26美股盤後公布2024財年第3季財報，將聚焦DRAM成長及HBM的挹注上，預期美光將受惠產業成長使財報持續漸入佳境。
美光積極與輝達合作，推動AI晶片技術革新，通過採用高容量HBM記憶體和推出基於1β製程的GDDR7繪圖記憶體，提升產品性能和市場競爭力。
美光科技計劃在廣島新建DRAM工廠，旨在擴大市場份額並滿足AI需求。
三星的高頻寬記憶體（HBM）產品未能通過輝達的測試，特別是HBM3和HBM3E版本，這使得三星在與競爭對手SK海力士和美光的競爭中面臨更多挑戰。
由於HBM需求增加及先進製程的優先佈局，DRAM供應可能面臨短缺。
美光(MU) 受Baird看好，股價大漲，年增超40％
台灣地震對美光科技(MU)當季DRAM供應造成影響，但長期供應能力未受影響。
