三星與台積電首次合作開發無緩衝HBM4，計劃於2025年量產，為輝達(NVDA)和Google(GOOGL)等AI晶片客戶提供定制解決方案。HBM技術對AI發展至關重要，競爭激烈，SK海力士目前市占領先。三星此次合作旨在縮小與SK海力士的差距，並藉由台積電的技術優勢搶占高效能記憶體市場。
SK海力士
SK海力士投資748億美元於HBM晶片，三星和美光亦加大投入，HBM需求激增，DRAM供應短缺風險增加。
HBM供不應求，記憶體原廠沒有多餘產能銷售至中國。SK海力士 HBM3、HBM3E的2024年產能早已預訂一空，就算是一線雲端供應商產能也已排到2025年。
DRAM 第 2 季營收重回成長，其中 SK 海力士成長幅度居冠。預期整體 DRAM 將於第 4 季回到供需平衡，並於明年開始供不應求！
記憶體三大原廠展開 HBM 競賽，其中SK海力士及三星兩大韓廠合計市占率達95%，壟斷市場；美光則跳過HBM3，專注開發HBM3e。
DRAM第一季營收季減逾2成，但美光出貨量不減反增。由於DRAM三大原廠減產，加上庫存逐漸消化，上半年將是營運低谷，記憶體產業多頭攻勢再起，布局時機佳。
美光因未通過網路安全審查，遭中國禁售「關鍵資訊基礎設施」相關產品，美光因此恐回測65美元關鍵頸線位置。
美光FY23Q1財報表現依舊低迷，普遍落於財測區間下緣。預料未來美光將持續透過控制供給因應嚴峻挑戰，並延後先進製程及技術的量產時程。
美光11/16發布聲明稿，提到為因應市況變化，預期將削減2成產量，並再度下修資本支出。然在業界廣泛調整供給下，記憶體產業有機會觸底，因此根據技術分析來推敲長線布局時機。
美光公告FY22Q4財測不佳，引發市場擔憂，惟長期而言，資料中心及車用趨勢明確，可望帶動美光FY2023後營運動能轉佳
