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放大鏡短評
儘管三星3奈米制程良率的提升三倍，對比台積電的3奈米技術仍相差甚遠。據Wccftech的分析，三星必須將良率進一步提高70%，才有望重拾高通等先前客戶的信心，然截至目前為止，三星的3奈米GAA晶片只有加密挖礦行業客戶的訂單，並沒有加入更多其他客戶，因此在產能上亦未有明顯提升，要追趕台積電後續仍需持續改良。
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最近的報告顯示，三星 Samsung的半導體製造能力取得了顯著進展，特別是在其3奈米製程方面。儘管最初的良率僅為10-20％，但三星已大幅提高了良率，使其超過了原始數字的三倍，目前達到了60％的峰值。這一顯著進步使三星在半導體行業中處於有競爭力的地位，有望與台積電等領先企業一爭高下。
據傳三星的第二代3奈米製程將提供出色的性能、功耗效率和面積優化，與台積電的尖端N3P技術密切匹配。雖然三星的3奈米Gate-All-Around（GAA）製程取得了顯著進展，但仍然落後於基於現有FinFET製程的台積電3奈米技術。然而，三星對其半導體業務的未來軌跡仍持樂觀態度，預計在功耗效率和邏輯面積方面將比上一代有所改善。
在最近的年度股東大會上，三星的聯席CEO Kyung Kye-hyun對半導體部門的收入前景表達了信心，預計將恢復到2022年之前的水準。值得注意的是，三星的存儲業務已於一月份實現盈利，標誌著一個重大的轉折。此外，三星正在積極探索高帶寬內存（HBM）和新興高速互連協議，如CXL（Compute Express Link）和Processor In Memory（PIM）的機遇，這反映了其對創新和客戶參與的承諾。
三星Foundry業務總裁Siyoung Choi強調了公司提供穩定和有競爭力的半導體解決方案的承諾。儘管承認英特爾就先進製程節點進行討論，Choi確認了三星相應製程計劃的準備就緒。他強調了穩定供應鏈和有競爭力的產品的重要性，並引用了三星4奈米製程良率的成熟度。
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