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美光因應2023年需求展望不佳，嚴格控制供給端產出
記憶體大廠美光科技 (MU) 昨日 ( 11/16 ) 發布聲明稿，針對目前市場環境下提出因應措施：
1. 為因應市況變化，美光DRAM、NAND Flash的初製晶圓 ( wafer starts ) 產量預期將比會計年度2022年第4季削減約2成，且所有量產的製程都會受到影響。
2. 美光考慮再度下修資本支出，並示警在2023年需求展望不佳下，為改善供應鏈整體庫存，供給端必須萎縮。公司預估DRAM的位元供給量將呈負成長，NAND Flash位元供給量則僅個位數年成長，低於先前預估。
企業廣泛調整供給，有機會成為記憶體產業觸底訊號，惟須經歷的時間可能延長
消息公布後，美光股價 ( 11/16 ) 應聲下跌，終場跌幅6.7%收在58.87美元。不過，根據過往經驗，業界在進行廣泛下修供給及資本支出下，有機會成為記憶體產業逐漸觸底的訊號。
美光同業SK海力士跟進大砍資本支出，然而，這次美光最大的競爭對手三星卻反其道而行，不僅沒有下修資本支出，甚至相較去年提升逾一成達54兆韓元，想藉由此次產業遭遇寒冬之際，運用資本優勢搶佔同業市佔率，鞏固產業領導地位。故此次需求疲軟、報價低迷的時間不排除有延長的可能，使產業從逐漸觸底 ( 供給下滑 ) 再到重新回升 ( 需求、報價回溫 )，都需要經過一定的時間。
根據下圖美光近8季簡易現金流狀況分析，公司從會計年度2022年第1季 ( 2021年9月第一個禮拜五到2021年12月第一個禮拜四 ) 營業現金流見頂後停滯，然而資本支出、折舊與攤銷費用趨勢仍在往上，壓抑獲利表現。結合上一段所述，當未來資本支出下滑，並嚴格控制供應端產出下，毛利率有機會減緩衰退速度，並開始出現築底跡象。
資料來源：CMoney
美光短中期尚不明朗，仍在尋找底部支撐，根據技術分析推敲長線布局時機
整體而言，儘管短中期需求仍不明朗，美光競爭對手三星的逆勢增產恐將延長產業觸底回升的時間，但在許多半導體業者大幅下修供給及資本支出的趨勢下，可留意產業觸底跡象。另外，三星也在前次10月底法說會中提到，進入2023下半年，預期記憶體需求將受惠DDR5導入新CPU、伺服器及車用的規格升級而回溫，故長期而言仍存在可觀的成長動能。
因此，在昨日消息的利空測試下，未來可以利用技術分析觀察美光長線的布局時機：
1. 不再破底 ( 48美元 )，形成頭肩底的與左肩價格相近的右肩 ( 左肩落在52美元 )。若成功形成頭肩底後，代表股價整理已逐步進入尾聲，或將成為最早進攻的型態，操作上可等待突破頸線 ( 65美元 ) 並站穩後進場。
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2. 破底翻，美光前低位置落在48美元附近，若美光在跌破前低後迅速上漲，除了有清洗籌碼的作用外，也有機會形成W底。若成功形成W底後，操作上可等待突破頸線65美元站穩後進場。
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3. 先前【美股技術分析】美光FY22Q4財報與財測慘澹，透析股價走勢，能否鑑往知來？一文中分析到，美光這兩年的大M頭技術滿足點在34美元，因此第3種情況較為悲觀，維持震盪走低的路徑，抵達技術滿足點附近後才開始築底，若出現此種走勢，整理的時間通常較為漫長，故建議先行觀望。
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